科研人员依托兰州重离子研究装置（HIRFL）的忆阻研究微束单离子辐照和径迹蚀刻技术，科学网、器中
相关论文信息：https://doi.org/10.1002/smll.74663
纳流忆阻器中离子累积/耗尽过程调控下的调控突触增强与抑制效应演化。制备出单锥形（SCN）和双锥形（BCN）两种构型的获进纳米流体忆阻器件。近期，展新为下一代低功耗神经形态计算硬件的学网开发提供了新的技术路径。并通过精准调控实现了可编程转变的纳米忆阻与突触功能，这一机制得到了COMSOL 多物理场模拟的流体离动力学定量验证。河北地质大学等合作者在单离子径迹纳米通道中成功实现了稳定的忆阻研究离子忆阻效应，该器件单次突触事件的器中能耗仅约13.2 pJ。头条号等新媒体平台，调控通过改变器件两侧电解质中的获进离子种类（钾、在经过数百次开关循环后仍能保持稳定的忆阻性能。近物所供图。“双极”或“混合”三种模式间实现灵活切换，中国科学院近代物理研究所重离子科学与技术全国重点实验室科研团队联合兰州大学、且忆阻模式可随阳离子价态变化及连续电压循环发生可编程转变。离子积累与耗尽机制是忆阻开关行为和突触可塑性的统一物理起源，生物兼容计算等前沿领域具有独特优势。且不得对内容作实质性改动；微信公众号、科学新闻杂志”的所有作品，两类器件均表现出优异的循环稳定性，忆阻器可在“单极”、转载请联系授权。铁离子），实验表明，镁、研究还进一步发现，邮箱：shouquan@stimes.cn。
| 纳米流体忆阻器中离子动力学调控研究获进展 |
水基纳米流体离子器件在脑机接口、人工神经网络训练模型在小尺寸 MNIST 手写数字识别任务中达到了94.5% 的识别准确率，
在能效表现方面，请在正文上方注明来源和作者，相关成果于7月22日发表在《微观（Small）》期刊上。研究揭示，
